Dom - Proizvodi - Silicon Carbide - Detalji
Uređaji za napajanje visoke frekvencije Silicon Carbide
video
Uređaji za napajanje visoke frekvencije Silicon Carbide

Uređaji za napajanje visoke frekvencije Silicon Carbide

Silicijum karbid (SiC) je posebno pogodan za uređaje visoke frekvencije zbog svojih jedinstvenih električnih svojstava.

Opis

 

Opis

Uređaji bazirani na SiC-u mogu raditi na visokim frekvencijama uz minimalnu degradaciju performansi, što ih čini idealnim za aplikacije koje zahtijevaju efikasnu konverziju energije pri velikim brzinama prebacivanja. Visokofrekventni uređaji za napajanje Silicijum karbid.
Široki pojas SiC-a omogućava niske gubitke na visokim frekvencijama, omogućavajući efikasnu konverziju snage i smanjenje gubitaka energije. Uređaji za napajanje bazirani na SiC-u mogu postići više radne frekvencije, što dovodi do minijaturnih i lakih elektronskih sistema.

Specifikacija
Nekretnina Vrijednost
Hemijska formula SiC
Kristalna struktura Hexagonal
Gustina 3,21 g/cm³
Tačka topljenja 2,730 stepeni (4,946 stepeni F)
Tvrdoća (Mohsova skala) 9.5
Toplotna provodljivost 120-200 W/m·K
Električna otpornost 10⁵-10⁷ Ω·m
Koeficijent toplinske ekspanzije (CTE) 4.0-6.0 x 10⁻⁶/ stepen
Maksimalna radna temperatura 1,600-2,800 stepeni (2,912-5,072 stepena F)
Youngov modul 370-700 GPa
Poissonov omjer 0.16-0.22
Dielektrična konstanta 9.7-10.7
Energija pojasnog razmaka 2.2-3.3 eV
Hemijska otpornost Visoko otporan na kiseline, baze i oksidaciju
Otpornost na toplotni udar Odlično
Otpornost na abraziju Odlično
Otpornost na habanje Odlično
Stabilnost na visokim temperaturama Odlično

 

 

 

High Frequency Power Devices Silicon Carbide

High Frequency Power Devices Silicon Carbide

Visokofrekventni uređaji za napajanje Silicijum karbid. Osim toga, SiC-ova superiorna toplotna provodljivost olakšava efikasno odvođenje toplote u visokofrekventnim energetskim uređajima. Ova karakteristika omogućava veću gustinu snage bez pretjeranog porasta temperature, osiguravajući pouzdan i efikasan rad na povišenim frekvencijama.

Visokofrekventni energetski uređaji bazirani na SiC-u nalaze primjenu u različitim industrijama, uključujući telekomunikacije, svemirsku i industrijsku automatizaciju. Ovi uređaji se koriste u pojačivačima snage, RF predajnicima, radarskim sistemima i visokofrekventnim komutacijskim aplikacijama.

FAQ

P: Da li ste fabrika ili trgovačka kompanija?
O: Imamo fabrike i trgovačke kompanije, fabrike i skladišta u Anyangu, provincija Henan, kako bismo vam pružili najbolje cene i izvore najboljeg kvaliteta, kao i profesionalni međunarodni marketinški tim koji će vam pružiti širok spektar personalizovanih usluga.

P: Koji je MOQ za probnu narudžbu? Mogu li se dati uzorci?
O: Ne postoji ograničenje za MOQ, možemo vam pružiti najbolje rješenje prema vašoj situaciji. Također vam mogu pružiti uzorke.

P: Koliko će trajati dostava?
O: Nakon što je ugovor potpisan, naše uobičajeno vrijeme isporuke je oko 2 sedmice, ali zavisi i od količine narudžbe.

Kontaktiraj nas

1

 

Popularni tagovi: visokofrekventni uređaji za napajanje silicijum karbid

Moglo bi vam se i svidjeti

Shopping Bags