Poboljšana pouzdanost poluprovodnika Silicijum karbid

Silicijum karbid (SiC) nudi povećanu pouzdanost za poluprovodničke uređaje, što ga čini poželjnim materijalom u zahtevnim aplikacijama.

Pošaljite upit

Opis

Jedinstvena svojstva SiC-a doprinose poboljšanoj pouzdanosti i robusnosti poluvodičkih komponenti. Poboljšana pouzdanost poluprovodnika Silicijum karbid.
Visokotemperaturna stabilnost SiC-a omogućava uređajima da rade u teškim okruženjima uz minimalnu degradaciju performansi. Poluvodički uređaji bazirani na SiC mogu izdržati povišene temperature bez ugrožavanja svojih električnih performansi i dugovječnosti.

Specifikacija

Nekretnina	Vrijednost
Hemijska formula	SiC
Kristalna struktura	Hexagonal
Gustina	3,21 g/cm³
Tačka topljenja	2,730 stepeni (4,946 stepeni F)
Tvrdoća (Mohsova skala)	9.5
Toplotna provodljivost	120-200 W/m·K
Električna otpornost	10⁵-10⁷ Ω·m
Koeficijent toplinske ekspanzije (CTE)	4.0-6.0 x 10⁻⁶/ stepen
Maksimalna radna temperatura	1,600-2,800 stepeni (2,912-5,072 stepena F)
Youngov modul	370-700 GPa
Poissonov omjer	0.16-0.22
Dielektrična konstanta	9.7-10.7
Energija pojasnog razmaka	2.2-3.3 eV
Hemijska otpornost	Visoko otporan na kiseline, baze i oksidaciju
Otpornost na toplotni udar	Odlično
Otpornost na abraziju	Odlično
Otpornost na habanje	Odlično
Stabilnost na visokim temperaturama	Odlično

Enhanced Semiconductor Reliability Silicon Carbide

Ova karakteristika je posebno vrijedna u aplikacijama kao što su automobilska, svemirska i energetska elektronika, gdje uređaji mogu biti izloženi uvjetima visoke temperature.

Poboljšana pouzdanost poluprovodnika Silicijum karbid. Štaviše, SiC pokazuje odličnu hemijsku otpornost, štiteći poluprovodničke komponente od korozivnih supstanci i faktora okoline. Uređaji zasnovani na SiC-u manje su skloni degradaciji uzrokovanoj hemijskim reakcijama ili izlaganjem vlazi, što osigurava dugoročnu pouzdanost i izdržljivost.

Visoka jačina električnog polja SiC-a i niske struje curenja doprinose poboljšanoj pouzdanosti poluvodičkih uređaja. Uređaji bazirani na SiC-u mogu podnijeti veće napone i pokazati manje struje curenja, smanjujući rizik od kvara i poboljšavajući ukupnu robusnost komponenti.

Povećana pouzdanost poluvodičkih uređaja baziranih na SiC-u znači duži vijek trajanja, smanjene zahtjeve za održavanjem i poboljšane performanse sistema u kritičnim aplikacijama kao što su energetska elektronika, automobilska elektronika.

FAQ

P: Da li ste trgovačka kompanija ili proizvođač?
O: mi smo proizvođač koji se nalazi u gradu Anyang, provincija Henan, Kina. Svi naši kupci dolaze iz zemlje i inostranstva. Radujemo se vašoj posjeti.

P: Koliko dugo je vaše vrijeme isporuke?
O: Općenito 5-10 dana ako je roba na zalihama, 15-20 dana ako roba nije na zalihama. To je prema količini narudžbe.

P: Da li dajete besplatne uzorke?
O: Da, mogli bismo ponuditi besplatni uzorak, samo trebate platiti prevoz.