Široki pojas poluprovodnika Silicon Carbide

Silicijum karbid (SiC) je široko poznat kao poluprovodnički materijal sa širokim pojasom.

Pošaljite upit

Opis

Pojasni razmak se odnosi na energetski jaz između valentnog pojasa i pojasa provodljivosti u čvrstom materijalu. Poluprovodnički silicijum karbid sa širokim pojasom. Široki pojas implicira da je potrebna veća energija za promociju elektrona iz valentnog pojasa u provodni pojas, čineći SiC sposobnim da izdrži veće napone i radi na višim temperaturama u poređenju sa tradicionalnim poluprovodnicima na bazi silicijuma.

Specifikacija

Element	Hemijski simbol	Atomic Percentage
Silicijum	Si	70 posto
Karbon	C	30 posto

Wide Bandgap Semiconductor Silicon Carbide

Široki pojas SiC-a omogućava razvoj elektronskih uređaja visokog napona i velike snage. Uređaji bazirani na SiC-u mogu podnijeti veća električna polja i temperature bez kvara ili degradacije. Ovo svojstvo čini SiC pogodnim za aplikacije u energetskoj elektronici, gdje su potrebne efikasne konverzije energije i mogućnosti rukovanja velikom snagom.

Široki pojas poluprovodnika Silicon Carbide.SiC takođe doprinosi nižim unutrašnjim koncentracijama nosača, smanjujući osetljivost na termičku pobudu i omogućavajući uređaje sa nižim strujama curenja. Ovo dovodi do poboljšanih performansi uređaja, smanjenih gubitaka energije i poboljšane efikasnosti u različitim elektronskim sistemima.

Zašto odabrati nas

►Zhenan Ferroalloynalazi se u gradu Anyang, provincija Henan, Kina. Ima 20 godina iskustva u proizvodnji. Visokokvalitetni ferosilicij može se proizvoditi prema zahtjevima korisnika.

►Zhenan Ferroalloyimaju svoje metalurške stručnjake, hemijski sastav ferosilicijuma, veličina čestica i ambalaža se mogu prilagoditi prema zahtjevima kupaca.

►Kapacitet ferosilicijuma je60000 tona godišnje,stabilno snabdevanje i pravovremena isporuka.

►Striktna kontrola kvaliteta, prihvatite inspekciju treće straneSGS,BVitd.

►Posjedovanje nezavisnih uvoznih i izvoznih kvalifikacija.